年河南电图A|在低放电率(C/10)下测量各种正极材料的电压-容量曲线。

使用该技术制备的As掺杂的CdSeTe太阳能电池获得了863mV的VOC和超过18%的PCE，网3网项优于Cu掺杂的同类电池。千0千（b）Cu和As掺杂的CdSeTe器件的相应EQE。

伏至伏电（c）使用C-V测量Cu和As掺杂的CdSeTe器件的载流子浓度分布。【图文解读】图一、目计多晶CdSeTe太阳能电池中的低温非原位掺杂示意图（a）CdCl2处理的多晶CdSeTe薄膜。在无Se碲化镉太阳能电池中，划新处于国际领先水平。

CdTe基PV组件的制造工艺包括三个关键步骤：开工吸光层（CdTe或CdSe/CdTe）的快速沉积（~600°C）、CdCl2处理（~400°C）和Cu掺杂（~200°C）。项6项（d）V族元素在低温（~200°C）下向CdSeTe中扩散。

投产（c）As在CdSeTe器件中的动态SIMS深度分布

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今年，千0千EER迎来的首个SCIE影响因子，28.905，创国产期刊新高。2020年今年影响因子增长至11.780，伏至伏电为创刊以来首次破10。

2018年6月，目计EER入选中国科技期刊国际影响力提升计划D类项目，进入新刊国家队阵列。发表各种基于理论指导、划新设计的材料学和计算模拟并实验合成的材料学领域原始数据论文、综述文章、社评。